Наука: Полусинтетическая бактерия впервые создала совершенно новый белок
Вся жизнь на Земле зиждется на одних и тех же строительных "кирпичиках" ДНК. Напомним, что главная молекула ...

За увеличение числа одномандатников выскажется наука
Экспертные мнения о возможном изменении избирательной системы к выборам Госдумы-2021 в виде увеличения числа мест для одномандатников ...

Наука: Антиоксиданты помогают раку метастазировать
Лекарства от диабета, снижающие уровень окислительного стресса, тем самым подталкивают раковые опухоли к ...

НПО "Наука" и Фонд развития промышленности подписали договор целевого займа
9 июля 2019 года НПО «Наука» и Фонд развития промышленности подписали договор целевого займа на сумму 26,3 млн рублей по программе «Лизинговые ...

Проект студента УрФУ заинтересовал госкорпорацию
Специалисты АО «Наука и инновации», являющегося научным дивизионом госкорпорации «Росатом», провели в Екатеринбурге рабочую встречу с ...

Уфология: наука или псевдонаука?
В то время как уфология не рассматривается в качестве академической исследовательской программы в большинстве академических университет ...

Свч Транзисторы На Широкозонных Полупроводниках
# 362217008

Свч Транзисторы На Широкозонных Полупроводниках

413 р.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках

Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов…

Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN

Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии

Рассмотрена технология транзисторов на алмазе

Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN

Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур

Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния

Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ)

100